中微公司：业绩稳定增长半导体设备迎国产化机遇

半导体 2020-04-17 09:22

事件：公司发布2019 年度报告，实现营收19.47 亿元（同比+18.77%）；归母净利1.89 亿元（同比+107.51%），扣非归母净利1.48 亿元（同比+41.48%）。

投资要点：

业绩稳定增长，2020 年以来中标加速迎国产化机遇1）2019 年在全球半导体设备及LED 设备不太景气的背景下，公司仍实现近20%的收入增长，我们认为整体符合预期。分业务看，专用设备收入15.87 亿元，同比+13.55%。备品备件收入3.38 亿元，同比+49.23%，服务收入0.21 亿元，同比+44.21%。

2）公司净利润增长108%，显著高于收入增长的19%，主要原因为2018年计入非经常性损益的股份支付费用达1.02 亿元，本期无该类费用，且19 年研发费用加计扣除增加等因素导致本期所得税费用减少。

3）根据中国国际招标网，2020 年以来公司先后中标长江存储9 台刻蚀设备（累计市占率达17%），华力集成2 台刻蚀设备（累计市占率达13%），华虹半导体3 台设备（累计市占率达21%），下游晶圆厂的招投标加速将为公司带来国产化机遇。

毛利率维持平稳，期间费用控制良好

1）2019 年主营业务毛利率34.93%，同比-0.57pct，整体基本维持稳定。

2）2019 年净利率9.71%，同比+4.15pct；若扣除非经常性损益影响，2019 年净利率同比+1.2pct。期间费用率为27.7%，同比-1.4pct，整体费用控制良好，研发费用率达12%，同比+4.8pct。

研发投入持续加大，新设备开发稳步推进

2019 年公司研发经费投入达4.25 亿元，占营业收入比例的22%；研发人员数量为276 人，同比增长15%，占公司员工总人数的比例为38%。

报告期内公司产品研发持续推进，获得较多进展：

1）逻辑集成电路制造环节：公司刻蚀设备已运用在国际知名客户65nm到7nm 的芯片生产线上；同时已开发出5nm 刻蚀设备用于若干关键步骤的加工，并已获得行业领先客户的批量订单。

2）3D NAND 芯片制造环节：公司CCP 刻蚀设备可应用于64 层的量产，同时正在开发新一代能够涵盖128 层关键刻蚀应用以及相对应的极高深宽比的刻蚀设备和工艺。

3）ICP 刻蚀设备：已经在多个逻辑芯片和存储芯片厂商的生产线上量产，并在进行下一代产品的技术研发，以满足7 纳米以下的逻辑芯片、1X 纳米的DRAM 芯片和128 层以上的3D NAND 芯片等产品的ICP 刻蚀需求，并进行高产出的ICP 刻蚀设备的研发。

本土晶圆厂密集招标提供国产化机遇，下游工艺升级带来更多设备空间1）2020 年以来长江存储招标加速，自主研发的64 层3D NAND 目前产能规模约为2 万片/月，预计至2020 年底前产能超过5 万片/月，2021年完成10 万片/月的目标；此外华力集成也在3 月份以来开启了密集招标；中微均在其中占据较高份额。我们认为下游晶圆厂密集招标将为公司带来国产化大机遇。

2）随着3D NAND 层数增加和集成电路线宽不断缩小，制造环节要求重复多次薄膜沉积和刻蚀工序步骤，意味着单条产线所需刻蚀设备增加，催生更多的刻蚀设备需求。同时由于逻辑器件和存储器件的结构变化，市场对ICP 刻蚀工艺的需求迅速增长。公司已覆盖3D NAND 中2/3的介质刻蚀工艺，目前公司ICP 设备已经量产，有望进一步提升刻蚀工艺覆盖广度，提高刻蚀业务竞争力。