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AI芯片行业周刊:加快构建AI芯片产业标准体系,助力行业高质量发展

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【重点政策】工业和信息化部、中央网信办、国家发展改革委、国家标准委四部门联合印发《国家人工智能产业综合标准化体系建设指南(2024版)》


7月2日,工业和信息化部、中央网信办、国家发展改革委、国家标准委四部门联合印发《国家人工智能产业综合标准化体系建设指南(2024版)》(以下简称《建设指南》)。


《建设指南》提出建设人工智能产业标准体系的重点包括基础共性标准、基础支撑标准、关键技术标准、智能产品与服务标准、赋能新型工业化标准等七个方向。其中,基础支撑标准主要包括基础数据服务、智能芯片、智能传感器等。《建设指南》重点指出,在完善智能芯片标准时,应规范智能芯片相关的通用技术要求,包括智能芯片架构、指令集、统一编程接口及相关测试要求、芯片数据格式和协议等标准;在完善制定软硬件协同标准时,应规范智能芯片、计算设备等硬件与系统软件、开发框架等软件之间的适配要求,包括智能芯片与开发框架的适配要求、人工智能计算任务调度、分布式计算等软硬件协同任务的交互协议、执行效率和协同性能等标准。


点评:目前,人工智能热潮正在席卷各行各业,无论是自动驾驶、物联网、智能硬件、智能家居等新兴产业,还是安防、医疗、矿山等传统业态,都开始频繁接触人工智能。数据显示,在2023年我国人工智能行业渗透度排名中,Top5的行业依次为互联网、电信、政府、金融和制造;此外,交通、服务、教育等行业在人工智能领域的投资力度也可圈可点。“人工智能+”的概念正在落到实处。


作为人工智能产业的核心,AI芯片发挥了关键的底层基础性作用,持续赋能千行百业。然而,目前我国AI芯片产业的标准化工作依然滞后于技术发展的需求,在AI芯片与5G、边缘计算等新兴技术持续融合,应用场景不断丰富和深化的背景下,产业发展面临技术标准不统一、低端同质化恶性竞争等深层次问题。


此次工信部联合其他三部门发布的《建设指南》重点指出要加速构建满足人工智能产业高质量发展和“人工智能+”高水平赋能需求的标准体系,以更好地推进人工智能赋能新型工业化。随着政策效能释放,未来我国人工智能芯片行业协会、参与者将在政府部门指导下,结合国内AI芯片产业链发展现状,加速制定完善相关标准,达到以标准引领行业健康高质量发展的目的,进一步打造人工智能芯片产业生态,加速推动AI与传统领域融合,持续助力汽车、数据中心、安防、电网等行业为代表的产业升级,为国家经济发展提供更有力支撑。

图1:2023年中国人工智能行业应用渗透度(单位:%)

图1:2023年中国人工智能行业应用渗透度(单位:%)

资料来源:IDC、智研咨询整理



【重点事件】上海三大先导产业母基金成立,人工智能母基金将重点投向智能芯片等领域


7月5日,海通证券发布公告称,全资子公司创新证券拟出资10亿元,与公司第一大股东上海国盛(集团)有限公司(以下简称国盛集团)及其全资子公司上海国经投资发展有限公司参与投资设立上海国投先导集成电路私募投资基金合伙企业(有限合伙)(暂定名,以下简称集成电路母基金),与上海国经投资发展有限公司参与投资设立上海国投先导生物医药私募投资基金合伙企业(有限合伙)(暂定名,以下简称生物医药母基金)、上海国投先导人工智能私募投资基金合伙企业(有限合伙)(暂定名,以下简称人工智能母基金)(以下合称上海三大先导产业母基金)。


同日,国泰君安也发布公告称,旗下全资子公司国君证裕拟出资不超过10亿元,与实控人国际集团参与投资设立上海三大先导产业母基金项目。


公告显示,上海三大先导产业母基金分别对应集成电路、生物医药和人工智能三大重点方向,集成电路母基金规模约为人民币450.01亿元、生物医药母基金规模约为人民币215.01亿元、人工智能母基金规模约为人民币225.01亿元。上海国投先导私募基金管理有限公司作为基金管理人,分别出资200亿元、100亿元、100亿元。


其中,集成电路母基金将重点投向包括但不限于集成电路设计、制造和封测、装备材料和零部件等集成电路相关领域。人工智能母基金将重点投向包括但不限于智能芯片、智能软件、自动驾驶、智能机器人等人工智能相关领域。


【重点事件】全国性创投联盟成立,瞄准人工智能等领域


7月6日,粤科金融集团组织管理规模超2.5万亿元的首批37家创投机构共建创投联盟,并组建了母基金、先进制造、人工智能、生物医药四个创投子联盟。


其中,先进制造创投子联盟由粤科母基金、超越摩尔基金联合国投创业、国科创投、耀途资本、长城资本、鼎峰科创、临芯投资、华山资本、创东方等10家机构发起设立。


当前大国竞争使我国先进制造业发展面临“卡脖子”难题,据超越摩尔基金董事长王军介绍,创投是支持中国先进制造的坚定力量,以“产业+基金”双轮驱动,重点突破集成电路、新材料等核心领域,破解“国产替代”、“卡脖子”难题,以先进制造业打造新质生产力基石。


人工智能创投子联盟由粤科母基金、创新工场联合心资本、峰瑞资本、德同资本、银杏谷资本、松禾资本、初心资本、九合创投、线性资本等10家机构发起设立。


生成式AI是有史以来最具颠覆性的科技革命,AI模型飞速进步,通识理解远超普通人类。创新工场总裁陶宁认为,生成式AI将重新定义产业智能化,所有互联网软件和商业模式,都有机会被AI重写一遍,特别是在移动时代,未来的大规模拓展AI应用产品要达到普惠,需兼顾考虑技术投入和边际成本,让用户无需新增太多成本,就能优化10倍以上的体验。


粤科金融集团表示,未来3年,创投联盟将成立10个以上子联盟,吸纳100家以上机构,预计将撬动社会资本1000亿以上。


【重点事件】欧盟征求半导体行业对中国扩大成熟制程芯片生产的看法


据路透社7月5日消息,欧盟委员会已开始征求该地区半导体行业对中国扩大成熟制程芯片生产的看法。欧盟委员会将于9月对芯片行业和主要使用芯片的工业公司进行两项自愿调查,现阶段的初步调查旨在初步了解行业的见解。欧盟官员指出,欧盟和美国可能“制定联合或合作措施来解决依赖性或扭曲效应”。此前,美欧贸易和技术委员会会议已同意对中国成熟制程芯片发起调查与限制。



【重点事件】果纳半导体海宁生产基地投产


7月1日,上海果纳半导体海宁生产基地投产仪式隆重举行。该基地总建筑面积约为50953平方米,规划年产能将达到1000台,是上海果纳半导体推动晶圆传输系统设备及零部件国产化的重要研发生产平台。基地内建有制造车间、机加工中心、研发大楼、仓储中心,并配套有员工宿舍,致力于打造高标准的智能化半导体设备生产基地,该基地的投产运营将使果纳的生产能力大幅度提高,在拓展产能、满足订单快速提升需求的同时,也将为公司后续产品的研发和量产提供有力的平台支撑。


【重点企业】基尔彼半导体晶圆衬底制造项目签约


7月5日,基尔彼半导体晶圆衬底制造项目签约仪式在市北高新区举行。据悉,该项目由江苏基尔彼新材料科技有限公司投资,计划建设一家集单晶生长、晶圆衬底生产到外延衬底生产业务为一体的半导体晶圆衬底材料公司。项目总投资约5亿元,建成达产后预计年产值超5亿元。


【重点企业】合晶12英寸硅晶圆郑州厂预计2025年底完成


7月3日,半导体硅晶圆大厂合晶宣布,在两岸扩建的12英寸硅晶圆厂,可望在2025年底完成、2026年量产,迎接下波半导体荣景。


合晶董事长焦平海受访时表示,合晶已走过半导体景气谷底,第二季度运营明显回升,虽然未呈现V型反转,却已重回上升轨道。


在化合物半导体方面,合晶主攻氮化镓外延及基板领域,包括硅基氮化镓、碳化硅基氮化镓等。合晶于去年在中国台湾彰化二林及河南郑州兴建12英寸晶圆厂。


合晶总经理张宪元表示,彰化二林厂将于2025年底完工,月产能20万片,主要供应包括台积电、联电、力积电和英飞凌、安森美、意法半导体等国际客户;郑州厂预计2025年底至2026年完工,月产能20万片,主要供应大陆地区客户。


【重点企业】台积电3/5nm制程计划明年涨价,AI产品涨幅为5%至10%


7月2日消息,台积电正准备从明年1月1日起宣布涨价,主要针对3/5nm,其他制程维持原价。


据称,台积电计划将其3/5nm制程的AI产品报价提高5%-10%,非AI产品提高0-5%。


实际上,上个月台湾工商时报也表示台积电已经开始传出涨价消息。全球七大科技巨头(英伟达、AMD、英特尔、高通、联发科、苹果及谷歌)将陆续导入台积电3nm制程,例如高通骁龙8Gen4、联发科天玑9400及苹果A18、M4系列都将采用N3家族打造,其中基于N3E工艺的高通骁龙8Gen4已率先开始涨价,较上一代报价激增25%,预计将超过250美元(当前约1822元人民币)。



【重点企业】三星正开发“3.3D”先进封装技术,目标2026年量产


7月3日消息,据韩国媒体ETNews报导,三星电子AVP先进封装部门正在开发面向AI半导体芯片的新型“3.3D”先进封装技术,目标2026年第二季度实现量产。


据悉,三星电子正在开发一种技术,通过安装“RDL中介层”而不是硅中介层来连接逻辑芯片和HBM。使用RDL中介层代替硅可以将材料成本降低十分之一,为了让性能下降最小化,可以仅在必要的部分(桥接器)中使用硅。


三星正试图更进一步,同时实施3D堆叠技术,将逻辑芯片堆叠在计算所需的LLC之上,三星将其命名为“3.3D封装”。


据称,三星还将在其3.3D封装中引入“面板级封装(PLP)”技术。PLP可以通过将芯片封装在方形面板而不是圆形晶圆中来显著提高半导体生产率。


【重点技术】复旦大学魏大程团队研发半导体性光刻胶,实现特大规模集成度有机芯片制造


7月7日,复旦大学宣布,复旦大学高分子科学系、聚合物分子工程国家重点实验室魏大程团队设计了一种新型半导体性光刻胶,利用光刻技术在全画幅尺寸芯片上集成了2700万个有机晶体管并实现了互连,在聚合物半导体芯片的集成度上实现新突破,集成度达到特大规模集成度(ultra-large-scale integration,ULSI)水平。

2024年7月4日,该成果以《基于光伏纳米单元的高性能大规模集成有机光电晶体管》(“Photovoltaic nanocells for high-performance large-scale-integrated organic phototransistors”)为题发表于《自然·纳米技术》(Nature Nanotechnology)。


该光刻胶可通过添加感应受体实现不同的传感功能。为了实现高灵敏光电探测功能,团队在光刻胶材料中负载了具有光伏效应的核壳结构纳米粒子。光照下,纳米光伏粒子产生光生载流子,电子被内核捕获,产生原位光栅调控,大幅提升了器件的响应度。光刻制造的有机晶体管互连阵列包含4500×6000个像素,集成密度达到3.1×106单元每平方厘米,即在全画幅尺寸芯片上集成了2700万个器件,达到特大规模集成度(ULSI),其光响应度达到6.8×106安培每瓦特,高密度阵列可以转移到柔性衬底上,实现了仿生视网膜应用。


目前,团队还研发出具有化学传感功能、生物电传感功能的光刻胶。该研究提出了一种功能型光刻胶的结构设计策略,将有望促进高集成有机芯片领域的发展。经过多年的技术累积,团队制备的有机芯片在集成度方面已达到国际领先水平,该技术与商业微电子制造流程高度兼容,具有很好的应用前景。


【重点技术】北京大学提出一种新的晶体制备方式,为芯片制造提供新的思路


7月5日消息,北京大学研究团队在国际上首创出一种全新的晶体制备方法。研究人员开发出名为“晶格传质-界面生长”的晶体制备方法,先将原子在厘米级的金属表面排布形成第一层晶体,新加入的原子再进入金属与第一层晶体间,顶着上方已形成晶体层生长,不断形成新的晶体层。这种方法可使晶体层架构速度达到每分钟50层,层数最高达1.5万层,且每层的原子排布完全平行、精确可控,有效避免了缺陷积累,提高了结构可控性。利用此新方法,研究团队现已制备出硫化钼、硒化钼、硫化钨等7种高质量的二维晶体,这些晶体的单层厚度仅为0.7纳米,而目前使用的硅材料多为5到10纳米。相关方法有望为芯片制造提供新的思路。相关研究成果发表于《科学》(Science)期刊。



【重点事件】小米、联发科联合实验室揭牌


7月2日,小米中国区市场部副总经理、Redmi品牌总经理王腾在社交媒体发文称:小米与联发科联合实验室在小米深圳研发中心正式揭牌,K70至尊版为联合实验室的首款作品。


据悉,该联合实验室历时多年正式落地,涵盖五大核心能力,聚焦性能、通信、AI 三大技术模块。官方强调,小米联发科联合实验室的目标是打造最强性能体验,实现最新技术落地以及构建最强生态。


Redmi K70至尊版首批搭载联发科天玑9300+移动平台,同时配备独立显示芯片。天玑9300+采用台积电4nm先进制程,搭载4个Cortex-X4超大核和4个Cortex-A720大核,最高主频可达3.4GHz。


【重点事件】三星首款3nm可穿戴芯片发布,采用面板级封装


7月3日,三星官网正式发布其首款采用3nm GAA先进工艺的可穿戴设备SoC芯片Exynos W1000,将首搭在Galaxy Watch 7上。该产品应用了先进制造工艺和封装方法,提高性能的同时有助于减小体积,为电池预留更大空间,从而延长续航,也为智能手表的设计增添了灵活性。


据介绍,Exynos W1000芯片采用的全新CPU架构拥有1颗Cortex-A78 1.6GHz大核,以及4颗能效更高的Cortex-A55 1.5GHz小核,采用LPDDR5内存,提供流畅性能。三星表示,新架构带来了超出预期的性能,单核和多核基准测试分别显示出高达340%和370%的改进。这种性能增幅相比上代芯片可让用户以高达2.7倍的速度启动关键应用程序,并在多个应用程序之间流畅切换。


此外,Exynos W1000还采用扇出式面板级封装(FOPLP),以实现小尺寸和增强散热。同时它使用系统级封装(SiP)方法将电源管理IC (PMIC) 集成在了SIP-ePoP封装当中,还使用嵌入式封装(ePoP)安装DRAM和NAND闪存,从而将各种组件集成到一个薄而紧凑的封装中。


【重点企业】新思科技指出AI指导芯片设计可减少30%能耗,设计效率提高15倍


7月4日,2024世界人工智能(AI)大会暨人工智能全球治理高级别会议开幕。新思科技总裁兼首席执行官Sassine Ghazi(盖思新)受邀参加,并发表《自芯片创新视角思考负责任的人工智能》的主旨演讲。


如今,AI技术从半导体芯片开始,已经推动一系列颠覆性的技术革新,同时也离不开上层软件。因此需要在全球层面上考虑整个生态系统,并负责任地确保AI的安全。盖思新提到,人工智能创新的步伐必须谨慎平衡其负责任发展的需求,而实现这种平衡的最佳方式就是全球协作。全球协作能够使全世界人民从人工智能带来的巨大进步中受益,同时确保这些创新能力得到负责任的实践。


演讲中,盖思新探讨了AI在芯片设计和应用中的共同原则、安全问题以及新思科技在这一领域的实践和展望,并强调:新思科技使用AI指导芯片设计,能够减少30%能耗,同时将设计过程效率提高15倍。


目前,新思科技正探索使用AI加速工作效率的路径。据介绍,新思科技创办的AI卓越中心,可教育工作人员理解AI的价值、伦理及风险等,并帮他们教育客户来使用AI来开发芯片。同时,将生成式AI作为知识基础以提高工程师工作效率,应对工程师短缺的问题,提升工作效率。


【重点企业】谷歌Tensor G5芯片或已进入流片阶段,基于台积电3nm制程


7月1日消息,据台媒报道,最新消息称预计用于谷歌明年旗舰智能手机的Tensor G5芯片将基于台积电3nm制程,目前已成功进入流片阶段。


据了解,谷歌Tensor G5芯片代号为Laguna Beach“拉古纳海滩”,该芯片采用台积电InFo_PoP晶圆级扇出封装技术,实现SoC和DRAM的堆叠,支持16GB以上内存。这种封装技术能有效提升芯片的性能,并减小其物理尺寸,为谷歌Pixel设备带来更强大的性能和更紧凑的设计。


此前推出的前四代Tensor芯片均基于三星Exynos的修改版本,并由三星代工生产。而Tensor G5的全自研,意味着谷歌将能够实现对Pixel设备从芯片到设备整机再到操作系统乃至应用程序的全方位掌控。这种深度整合的软硬件设计,将有助于谷歌更快地将AI应用部署在自家设备上,从而打造差异化产品,提升市场竞争力。


【重点企业】三星电子业务重组,致力于AI芯片设计


7月4日消息,Businesskorea报道称,三星负责芯片设计的系统LSI部门正在进行业务和组织重组,将优先发展AI芯片。


报道中称,此前从事汽车处理器“Exynos Auto”(代号KITT3)开发的的人员已在该部门内重新分配到AI系统级芯片(SoC)团队,该团队现在是三星设计工作的重点。目前,该部门集中了100-150名专门设计人员,致力于AI芯片设计。



【重点企业】西安紫光国芯成功登陆新三板


7月1日,西安紫光国芯半导体股份有限公司举行新三板挂牌典礼,宣布正式登陆新三板。


紫光国芯作为紫光集团旗下的核心企业之一,长期致力于半导体存储技术的研发与创新,在半导体存储领域积累了深厚的研发实力和核心技术,形成了包括DRAM KGD、DRAM存储芯片、SeDRAM和存储控制芯片、模组和系统产品、以及设计开发服务在内的多元化业务矩阵。


据了解,紫光国芯建设有4个实验室,主要面向存储器芯片测试、ASIC芯片测试、系统产品测试和产品应用测试方面,总计面积达2000余平米,大型测试设备30余台/套,可支持各类产品的功能测试、性能测试、验证分析、量产测试、工程开发、应用工程测试、可靠性试验、小批量生产以及工程样品开发等需求。


今年4月,紫光国芯还凭借其SeDRAM®技术成果“三维异质集成高带宽低功耗动态随机存储器芯片关键技术及应用”荣获陕西省科学技术进步奖二等奖,成为少数几个完全由企业自主研发的获奖项目之一。


紫光国芯表示将以此为契机,在新紫光集团的战略引领下,深化产品创新、聚焦关键项目、扩大市场覆盖,提高长期盈利能力和市场竞争力。


【重点事件】SK海力士计划到2028年投资746亿美元,面向AI和芯片领域


7月1日,韩国SK海力士母公司SK集团表示,到2028年,SK海力士将投资103万亿韩元(约746亿美元),以加强其芯片业务,专注于AI。在AGI时代,存储将在处理数据中发挥关键作用,AI系统正在以并行方式连接大量AI芯片和存储,以加速大规模数据处理。这意味着AI系统的性能取决于更强、更快的存储。SK海力士也着力在AGI、数据中心、移动和PC系统等各个行业中引领“Memory-Centric AI Everywhere”。据悉SK海力士正在建设占地超过415万平方米的新存储器制造基地,投资额超过120万亿韩元(927亿美元)。

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